隨著AI有序推進、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用的興起等形式，業(yè)界對于存儲的要求越來越高貢獻。但在現(xiàn)在主流的存儲中不折不扣，NAND的傳輸速度比較慢很重要，而傳輸較快的DRAM則是易失性的培訓，這就促使存儲供應(yīng)商研發(fā)下一代的存儲， ReRAM就是其中一個代表示範。

 

ReRAM被稱作可變電阻式內(nèi)存（Resistive random-access memory）應用前景，是一種新型的非易失性內(nèi)存，具有消耗電力較低提供了有力支撐，且寫入信息速度比NAND閃存快1萬倍的特點激發創作。能夠被應(yīng)用到系統(tǒng)的主內(nèi)存（DRAM）和儲存器（NAND 閃存）之間，彌補這兩者之間越來越大的延遲差距進一步意見；或者被應(yīng)用到神經(jīng)形態(tài)計算中增幅最大，實現(xiàn)人工智能和機器學(xué)習(xí)。前段時間惠普推出的新型計算機“The Machine”就應(yīng)用了這項存儲技術(shù)生產能力。除此之外標準，包括4DS、Adesto堅持好、Crossbar即將展開、松下、美光特性、三星傳承、索尼等公司也在開發(fā) ReRAM技術(shù)。

 

但是更加完善，ReRAM是一項很難掌握的技術(shù)：

 

對晶圓廠的生產(chǎn)來說形式，它是一種相對簡單直接的工藝建設應用。ReRAM 和 STT-MRAM 都只需要少量幾個掩模步驟而且可在晶圓廠中所謂的生產(chǎn)線后道工序（BEOL）制造生成支撐作用。而且 STT-MRAM 和 ReRAM 都構(gòu)建在芯片的金屬層的觸點或通孔之上。

 

除制造以外動力，測試也是一個巨大的困難同時。如我們需要解決其中的缺陷測試問題。

在正常條件下效高性，ReRAM能夠在HRS和LRS兩種狀態(tài)建切換模式，這時候CFR能夠被觀察到，然后就能根據(jù)觀察狀態(tài)找到問題所在提升。為達到這些目的高品質，就需要針對可靠性評估開發(fā)出新的表征技術(shù)不折不扣。自動化程度極高的Keithley 4200就能完美解決這些問題。

 

不止ReRAM資源優勢，標準邏輯產(chǎn)品也是Keithley 4200的優(yōu)勢所在高效利用。

 

大家知道，摩爾定律的發(fā)展推動著邏輯產(chǎn)品向微縮發(fā)展估算。新制程講理論、材料、架構(gòu)甚至新產(chǎn)品概念的引入基礎上，都會給產(chǎn)品的可靠性帶來挑戰(zhàn)各領域，進而給測試設(shè)備帶來了更多挑戰(zhàn)。例如越來越薄的氧化層保持競爭優勢，就要求更快的測試速度進行培訓；如何區(qū)分和明白不同類型的缺陷，對他們來說就顯得尤其重要不容忽視。

 

本文關(guān)鍵詞：ReRAM

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