綜合目前業(yè)界專業(yè)人士的看法合規意識，DRAM 熱度有望持續(xù)下去大局，供不應(yīng)求狀況還未改善大幅拓展，但NAND 部分恐怕就沒有那么樂觀了意料之外，由于大廠3D NAND 良率大幅度提升體驗區，供給過剩問題已經(jīng)提前在2017 年第四季爆發(fā)新型儲能，銷售額恐怕至少在2018 年上半年都不會太理想創新能力，最快也是2018 年第二季達到供需平衡，第三季再度供給吃緊範圍，到時產(chǎn)業(yè)由悲轉(zhuǎn)喜求得平衡。

                                 
 

首先就DRAM大方向來說，2018 年在Fab 端沒有新增產(chǎn)能空間廣闊，頂多就是制程從2X 奈米推進到1X 奈米或是1Y 奈米至關重要，帶動位元的成長提供深度撮合服務。市調(diào)單位集邦科技更是直接表示，2018 年各DRAM 廠資本支出計劃都比較保守技術發展，新增投片量約5～7％集聚效應，這些新增產(chǎn)能都來自現(xiàn)有工廠產(chǎn)能的重新規(guī)劃與制程轉(zhuǎn)進。

 

同時集邦也提到重要手段，隨著智能手機記憶體容量升級互動講，以及伺服器、資料中心需求量大研究與應用，2018 年DRAM 需求將成長約20.6％飛躍，供給端方面，估計將提升19.6％全面協議，因此重要部署，2018 年整體DRAM 產(chǎn)業(yè)供需持續(xù)吃緊，也因此工具，2018 年各大DRAM 廠商智慧與合力，包括三星、美光重要的角色，SK 海力士開放要求，甚至連臺灣的南亞科、華邦電持續(xù)穩(wěn)定獲利不成問題平臺建設。

 

但目前在DRAM 端有需要注意與觀察的一點服務機製，首先，雖然2018 年整體DRAM 端無新增Fab 的產(chǎn)能出來使用，但是三星有計劃要在平澤（Pyeongtaek）興建第二座12 吋廠大幅拓展，SK 海力士也將在無錫興建第二座12 吋廠，這兩大廠的新廠產(chǎn)能最快2019 年才會開出更加堅強。

 

但是韓媒在不斷的報導(dǎo)與時俱進，三星將在DRAM 端持續(xù)擴大產(chǎn)出的消息，不斷動搖市場對DRAM 產(chǎn)業(yè)的信心初步建立。韓媒特意提到綜合運用，三星在平澤廠區(qū)的半導(dǎo)體廠是兩層樓建筑，二樓無塵室差不多完工的方法，這些空間將投入DRAM 的擴建實事求是，但是據(jù)記憶體業(yè)者的透露，這兩層樓中落到實處，有一層是投入3D NAND 的擴產(chǎn)等多個領域，至于另外一層樓中，有意置入月產(chǎn)能五萬片的DRAM 產(chǎn)線必然趨勢，只是設(shè)備商也透露促進善治，三星還沒有下單采購設(shè)備，因此所謂新增五萬片的DRAM 產(chǎn)能想在2018 年就開出多樣性，真的不太可能發揮效力。

 

本文關(guān)鍵詞：DRAM     NAND 

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