下一代存儲技術(shù)引起關(guān)注
2018-01-30 15:52:52
號稱次世代記憶體的產(chǎn)品，在近年終于找到它們可以大展拳腳的市場發展邏輯，包含F(xiàn)RAM（鐵電記憶體）建議，MRAM（磁阻式隨機(jī)存取記憶體）和RRAM（可變電阻式記憶體）系統，在物聯(lián)網(wǎng)與智能應(yīng)用的推動下必然趨勢，終于找到利基市場傳遞。
首先提及這個話題的有效保障，還是臺積電部署安排。
2017年5月推進高水平，臺積電技術(shù)長孫元成第一次在其技術(shù)論壇上脫穎而出，發(fā)表了自行研發(fā)多年的eMRAM（嵌入式磁阻式隨機(jī)存取記憶體）和eRRAM（嵌入式電阻式記憶體）技術(shù)，分別會在2018和2019年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)生產創效，且將采用先進(jìn)的22納米制程結構。
研發(fā)這項(xiàng)技術(shù)的目的很明確，就是要實(shí)現(xiàn)更高的效能優化上下、更低的電耗能力建設，以及更小的體積，用來滿足未來智能化與萬物聯(lián)網(wǎng)的全方面運(yùn)算需求生產體系。目前三星和英特爾都在研發(fā)相關(guān)的產(chǎn)品與制程技術(shù)服務。
事實(shí)上，一個一般的嵌入式設(shè)計(jì)能力和水平，其實(shí)不用嵌入式記憶體的技術(shù)覆蓋，只需要常規(guī)的NOR和NAND Flash記憶體異常狀況，搭配DRAM就可以了。如果是對于系統(tǒng)的體積與運(yùn)作效能有更高的要求的高效，例如智能型手機(jī)和高階的消費(fèi)性電子應用創新，也可以通過使用MCP技術(shù)，將為NOR和DRAM機構，或者NAND和DRAM封裝在一個芯片中來達(dá)成生產製造。
如果有較高的資料儲存需求，就能夠使用eMMC（embedded Multi Media Card）嵌入式記憶體規(guī)范技術(shù)攜手共進，運(yùn)用MCP制程將NAND Flash與控制芯片整合在一個BGA封裝里共同，再搭配DRAM來設(shè)計(jì)系統(tǒng)。
更先進(jìn)的系統(tǒng)高質量，則可使用eMCP（embedded Multi Chip Package）嵌入式多芯片封裝技術(shù)充分發揮，把NAND Flash與DRAM，以及NAND Flash控制芯片封裝在一個芯片上管理，不僅進(jìn)一步簡化電路設(shè)計(jì)設計，降低主系統(tǒng)負(fù)擔(dān)，同時也保留了高儲存容量的可能性改進措施。
圖1 : Crossbar是少數(shù)具有RRAM商業(yè)量產(chǎn)能力的業(yè)者就此掀開，圖為其COMS整合技術(shù)，能整合邏輯芯片與記憶體今年。
但是穩步前行，隨著網(wǎng)絡(luò)傳輸頻寬越來越大，智能應(yīng)用衍生的資料運(yùn)算與儲存需求也隨之越來越高動手能力，嵌入式系統(tǒng)對于記憶體封裝技術(shù)的需求也蒸蒸日上逐步改善，并尋求效能更好的記憶體解決方案。這個時候提升，新一代的嵌入式記憶體技術(shù)與次世代非揮發(fā)性記憶體的結(jié)合就成了最佳解決方案大大提高。
本文關(guān)鍵詞：
MRAM DRAM
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