2018年各廠商開啟新計劃
2018-02-27 14:16:53
從技術(shù)層面來說，三星今年的目標除了持續(xù)提升18nm制程的產(chǎn)出比重外解決方案，近兩年來DRAM漲價帶動DRAM供貨商的利潤高漲知識和技能，同時也由于中國大陸潛在競爭者的加入傳遞，迫使三星決定展開新一波的擴產(chǎn)計劃共同努力，將原本計劃做NAND Flash的平澤廠二樓區(qū)域投入生產(chǎn)DRAM競爭力，一方面因為DRAM供給吃緊高質量，另一方面由此減少未來NAND Flash的投片量善於監督，用以抑制NAND Flash的跌價速度數據顯示，對此高質量，DRAMeXchange表示，這樣做對整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)來說是積極向上的發(fā)展而并不是壞事記得牢。
此外註入了新的力量，SK海力士去年底開始導入18nm的生產(chǎn)，然而更多可能性，進入1Xnm世代制程難度高去創新、轉(zhuǎn)換不易，SK海力士目前仍致力于提升其18nm良率緊迫性；擴廠計劃則維持不變結構，SK海力士最快要到2019年才會在大陸無錫新建的第二座12英寸廠看到產(chǎn)能開出。美光在技術(shù)布局方面高效，臺灣美光內(nèi)存(原瑞晶) 17nm目前產(chǎn)出比重已超過9成溝通協調，預計今年第二季初將完成轉(zhuǎn)換，而臺灣美光晶圓科技(原華亞科)計劃今年中開始進行20 nm往17nm的轉(zhuǎn)換全方位，預計今年年底將有望有一半產(chǎn)能轉(zhuǎn)往17nm生產(chǎn)高效節能，并于明年上半年全數(shù)導入。
臺系廠商部分深刻認識，南亞科第四季營收較前一季大幅成長26.9%核心技術，主要歸功于20nm轉(zhuǎn)換良率超乎預期，以及價格持續(xù)走揚帶動主動性。20nm的成本效益拉升營業(yè)利益率至38.9%創造性，較前一季成長7個百分點。展望未來道路，由于該公司20nm良率繼續(xù)提升規模設備，將會持續(xù)改善其成本結(jié)構(gòu)，增加獲利空間。
力晶科技方面競爭力，2017年第四季DRAM營收季持平充分，主要還是替晶豪科、愛普等IC設(shè)計業(yè)者代工的獲利較佳集聚，力晶本身DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)向更高毛利的產(chǎn)品競爭力；華邦電方面DRAM營收則下滑2.2%，主要因為DRAM產(chǎn)能受到NOR Flash產(chǎn)能壓縮所導致狀況。
本文關(guān)鍵詞：
NAND Flash
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