深圳市英尚微電子有限公司十幾年耕耘于半導(dǎo)體存儲器芯片行業(yè)領(lǐng)域，并被Everspin科技公司授權(quán)為官方授權(quán)代理商，代理產(chǎn)品為Serial MRAM，Parellel MRAM深入，Quad Serial MRAM事關全面，DDR3/DDR4 ST-MRAM關規定，目前DDR3/DDR4 ST-MRAM（EMD3D256M）單顆容量256Mb(8MB)品質，采用78-ball [x8] or a 96-ball [x16] 10 x 13mmWBGA封裝不負眾望，完全兼容JEDEC DDR3接口規(guī)范非常完善，能夠以高達1333MT /秒/引腳的速率運行DDR3性能穩定，頻率最高1600MHz，帶寬最高3.2GB/s作用，延遲則是納秒級別的情況正常。
Everspin 科技公司生產(chǎn)的ST-DDR3 STT-MRAM專為企業(yè)級應(yīng)用設(shè)計，如SSD緩沖區(qū)技術特點，RAID緩沖區(qū)或同步記錄應(yīng)用程序提高鍛煉，在這些應(yīng)用中發展邏輯，性能至關(guān)重要，耐久性是必不可少的有所提升。 STT-MRAM的持久性可保護數(shù)據(jù)聽得進，并使系統(tǒng)能夠?qū)⒀舆t時間顯著降低高達90％，從而提高性能并推動效率和成本節(jié)約先進水平。
以下是關(guān)于DDR3/DDR4 ST-MRAM（EMD3D256M）的特性：
• Non-volatile 256Mb (32Mb x 8, 16Mb x 16) DDR3
• Supports standard DDR3 SDRAM features
• V DD = 1.5v +/- 0.075v
• Up to 667MHz f CK (1333MT/sec/pin)
• Page size of 512 bits (x8) or 1024 bits (x16)
• On-device termination
• On-Chip DLL aligns DQ, DQS, DQS transition with CK transition
• All addresses and control inputs are latched on rising edge of Clock
• Burst length of 8 with programmable Burst Chop length of 4
• Standard 10x13mm 78-Ball (x8) or 96-ball (x16) BGA Package
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商便利性，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM重要平臺、pSRAM深刻認識、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案應用提升。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI主動性、NETSOL、JSC濟州半導(dǎo)體(EMLSI)發展的關鍵、Everspin 道路、IPSILOG、LYONTEK帶動產業發展、ISSI大局、CYPRESS新創新即將到來、ISOCOME邁出了重要的一步、PARAGON、SINOCHIP設施、UNIIC需求； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商 如：RAMTROM、ETRON組合運用、FUJITSU更讓我明白了、LYONTEK、WILLSEMI積極。
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