最近測評紫光的DDR3顆粒整體表現還不錯勇探新路，也有部分媒體寫的很夸張單產提升，似乎紫光DDR3內存要碾壓金士頓、芝奇試驗、三星了勞動精神，但是真正的情況是紫光的DDR3內存也是剛起步而已，現在網上買的紫光顆粒DDR3內存條主要是經銷商所為製度保障，數量并不多預下達，店鋪顯示的庫存只有60多條而已。

　
但是這DDR3內存也不是紫光自主研發(fā)的統籌推進，生產單位西安紫光國芯其實是買來的提升，一開始它是英飛凌2003年在西安成立的存儲芯片部門，2006年英飛凌半導體業(yè)務拆分成立了奇夢達科技的必然要求，2009年他們被國內的浪潮公司收購研究成果，重組成了西安華芯半導體，2015年紫光從另一個清華系公司同方手中收購了同方國芯的36%的股權，成立了紫光國芯首次，而西安紫光國芯就是他們從浪潮手中買來的可能性更大，現在是子公司，他們的DDR3內存實際上也是奇夢達公司的遺產搖籃。

　　
雖然DDR3內存現在還沒有遭到淘汰技術，但是它確實不是現在桌面、服務器以及智能設備的主流了推動，所以更多人傾向于期待紫光國產DDR4內存相對較高，不過早前紫光針對這事辟謠過，表示現在還沒有量產DDR4內存信息，后來我們得到的消息說紫光預計在今年下半年推出DDR4內存顆粒相關，但是具體的情況就一無所知了，容量豐富內涵、價格等等關鍵信息還是未知數生產效率。

　　
不僅是主流內存量產進度落后于國際，國產內存現在還有技術落伍的風險適應性，至今為止紫光的DDR3顆粒制程工藝也沒有對外公布節點，但是由于奇夢達已經是10多年前的事了，西安紫光國芯的DRAM工藝至少也是30nm及以上級別的了落地生根，而現在主流的內存工藝早就是20nm級別了的特點，三星2016年就量產18nm工藝了，下一步就是17nm工藝了有效保障。

國產內存確切的制程工藝一直是個謎大數據，但是我們可以從蛛絲馬跡下驗證，去年兆易創(chuàng)新公司宣布進軍DRAM內存講實踐，他們與合肥市政府控股投資公司簽署了合作協(xié)議數字技術，項目預算高達180億元，目標是在2018年底研發(fā)出19nm工藝的內存芯片市場開拓。如果研發(fā)成功了範圍和領域，兆易創(chuàng)新的內存工藝其實還是挺先進的，盡管還是比不過三星高效利用，但至少也是主流級別的了，只不過兆易創(chuàng)新的目標是良率不低于10%估算，這個標準并不是量產水平的講理論，10%的良率只可能是技術實驗，這說明量產上市暫時還實現不了不要畏懼。

　　
別說DRAM內存了服務為一體，國內的NAND閃存工藝還是非常落后的，紫光在武漢的長江存儲公司現在研發(fā)的只是32層堆棧的閃存，核心容量不過64Gb全會精神，這比目前主流64層堆棧系統穩定性、核心容量256Gb甚至512Gb的3D NAND落后兩年時間。

而兆易創(chuàng)新的NAND閃存量產水平才是38nm工藝集中展示，24nm級別的還在研發(fā)中實力增強，目前還是2D NAND閃存，而三星探索創新、東芝早就量產15帶來全新智能、16nm工藝的2D NAND閃存了， 2D閃存是他們正在淘汰的技術

國產內存基礎這么差新產品，技術差距這么大去完善，難道我們要放棄發(fā)展這個領域嗎?這當然是不可能的，我國不止存儲芯片領域落后于他人長遠所需，以前大家羨慕日本求索、歐洲的高鐵，現在中國的高鐵里程遠超其他國家規模，內存產業(yè)也會如此穩定發展，中國這么大的市場完全依賴進口是不可行的，在國產內存這個問題上優化上下，中國擁有全球最大的市場能力建設，而且現在有大筆投資，我們的方向是正確的生產體系，現在缺少的是理性的發(fā)展策略服務。

 

本文關鍵詞：NAND閃存     DDR3

相關文章：全球內存產業(yè)一家獨大 高度壟斷

---

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM能力和水平、MRAM覆蓋、pSRAM、 FLASH芯片國際要求、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案流動性。