Nor Flash發(fā)展過程中的問題
2018-04-12 15:12:37
過去一年精準調控，Nor Flash的價格飛漲和前景被大眾普遍看好結構，讓大家對編碼式存儲器重燃了信心效果，包括兆易創(chuàng)新和旺宏在內(nèi)的眾多廠商在去年也從中掙到盤滿缽滿。在很多人看來積極影響，這種略顯古老的產(chǎn)片沒啥技術(shù)含量自動化方案，但從Nor Flash的發(fā)展前景看來，還是面臨著各種各樣的困難和挑戰(zhàn)越來越重要。
根據(jù)Nor Flash的原理線上線下，它是使用CHE來編碼發揮重要作用，然后使用FN Tunning 來擦除，而電荷注入機制對這兩個因素的印象很大數據顯示，下面分別看一下其考量和解決辦法：
首先看CEH高質量。據(jù)了解，CHE的注入對編碼速度和lg有明顯的提升達到，同時能夠擴大對離子化率的影響（高橫向電場）智能設備，還能影響收集效率（高垂直電場）。但對CHE來說蓬勃發展，如下圖所示，影響他們的因素也有很多提高鍛煉。
因此發展邏輯，可以使用TCAD仿真來模擬CHE注入的影響，提高產(chǎn)品性能有所提升。
介乎Flaoting Gate和Bulk之間的FN Tunning同樣也會受到各種因素的影響聽得進。
這時候使用MLC方案則能完美解決相關問題。
對于Nor Flash來說先進水平，我們還需要考慮一下可靠性的問題便利性。例如Over-Erase ，比如Nor Disturb重要平臺，還有隧道氧化和可靠等問題深刻認識。這就需要一些很好的解決方法。另外應用提升，在微縮的過程中主動性，Nor Flash還會面臨Random Telegraph Signals Noise (RTN)等問題。
由上所述發展的關鍵，Nor Flash從設計到生產(chǎn)道路，再到交付到客戶手中，要考慮其合格性真諦所在、可靠性指導、保持性，同時還要經(jīng)過保持特性失效分析充分。經(jīng)過以上重重考驗的NorFlash才能滿用戶對使用溫度（55度）進一步完善，斷電數(shù)據(jù)保持時間>10年，擦寫次數(shù)>10萬次等多方面的需求優化服務策略。
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