我國將量產(chǎn)首批32層三維NAND閃存芯片
2018-04-18 11:31:22
位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺在本月11日正式進場安裝責任，這象征著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段，我國第一批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于今年內(nèi)量產(chǎn)保護好，填補我國主流存儲器空白領域組建。
現(xiàn)在我國通用的存儲器基本全部都依靠進口，國家存儲器基地在去年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片特點。這顆耗資10億美元深刻變革、由一千人的團隊耗費２年自主研發(fā)的芯片，這是我國在制造工藝上與國際高端水平最接近的主流芯片和諧共生，這也許會讓我國進入全球存儲芯片第一梯隊質生產力，強力提高“中國芯”在國際市場的地位。
據(jù)了解技術交流，國家存儲器基地項目在2016年由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金先進的解決方案、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設創造更多，總投資高達240億美元宣講活動，預計項目一期總產(chǎn)能將達到30萬片／月，年產(chǎn)值將超過100億美元工藝技術。
據(jù)悉效率，今年10月設備將點亮投產(chǎn)，預計2019年底64層閃存產(chǎn)品將達到爬坡量產(chǎn)產能提升。未來十年適應性，紫光集團計劃至少還將投資1000億美元，相當于平均每年投入100億美元通過活化，進一步追趕上我國在高端芯片領域與先進國家的距離落地生根。
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NAND閃存芯片
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