EverSpin的技術(shù)是領(lǐng)先的開發(fā)商和磁性RAM（MRAM）制造商即將展開，提供獨立和嵌入式MRAM產(chǎn)品大大提高。作為世界上第一個量MRAM的供應(yīng)商交流，EverSpin的已確立了自己的“MRAM公司”擁有超過600項專利和應(yīng)用體系，其中許多是根本和MRAM技術(shù)必不可少的知識產(chǎn)權(quán)組合發展。今天EverSpin的MRAM交付產(chǎn)品在數(shù)據(jù)中心和存儲等形式，能源和基礎(chǔ)設(shè)施的方法，以及汽車和交通運輸市場廣泛應(yīng)用具體而言，并期望成為ST-MRAM的業(yè)界首款量的供應(yīng)商研究進展。

Everspin并行接口256kb~16Mb磁性存儲器無障礙，具有快速（35ns）、非易失性快速融入、無限次讀寫的特性認為，可完全替代SRAM、FRAM增強。對于必須永久保存重要意義、快速恢復(fù)重要數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用，MRAM存儲器是理想的存儲器方案更加廣闊。

以下是Everspin并行接口256kb~16Mb磁性存儲器的型號參考：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
16Mb	1Mx16	MR4A16BYS35	54-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCYS35	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關(guān)鍵詞：并行接口MRAM

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