首先先從定義是去理解sram跟dram在名稱上的定義引領作用，從字面上看不難發現，SRAM（Static Random Access Memory）高效利用，即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器勞動精神。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存服務，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)充足。DRAM（Dynamic Random Access Memory）經驗分享，即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器深入實施，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存能運用。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間達到。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲不可缺少，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次蓬勃發展，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失積極回應。從定義上看SRAM跟DRAM區(qū)別只在于一個是靜態(tài)一個是動態(tài)重要性。由于SRAM不需要刷新電路就能夠保存數(shù)據(jù)，所以具有靜止存取數(shù)據(jù)的作用多種場景。而DRAM則需要不停地刷新電路多元化服務體系，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)將會消失。而且不停刷新電路的功耗是很高的擴大公共數據，在我們的PC待機(jī)時消耗的電量有很大一部分都來自于對內(nèi)存的刷新深度。那么為什么我們不用SRAM來作為內(nèi)存呢？
 
　首先來看一張SRAM的基本單元結(jié)構(gòu)圖(圖一)核心技術體系，再來看看DRAM的基本單元結(jié)構(gòu)圖(圖二)　
 
                                                  
 
      SRAM存儲器存儲一位需要花6個晶體管開拓創新，而DRAM存儲器只需要用一個電容和一個晶體管。cache追求的是速度所以選擇SRAM應用提升，而內(nèi)存則追求容量所以選擇能夠在相同空間中存放更多內(nèi)容并且造價相對低廉的DRAM主動性。
我們暫且不去討論關(guān)于SRAM是如何靜態(tài)存儲數(shù)據(jù)的創造性，為什么DRAM存儲器需要不斷刷新呢？
 
      DRAM存儲器里面的數(shù)據(jù)實(shí)際上是存在電容里的體系。而電容放久了保障性，內(nèi)部的電荷就會越來越少，對外就形成不了電位的變化責任製。而且當(dāng)對DRAM進(jìn)行讀操作的時候需要將電容與外界形成回路十分落實，通過檢查是否有電荷流進(jìn)或流出來判斷該bit是1還是0。所以無論怎樣規則製定，在讀操作中我們都破壞了原來的數(shù)據(jù)製造業。所以在讀操作結(jié)束后需要將數(shù)據(jù)寫回DRAM中。在整個讀或者寫操作的周期中關規定，計算機(jī)都會進(jìn)行DRAM存儲器的刷新發展基礎，通常是刷新的周期是4ms-64ms。
 
　　關(guān)于SRAM和DRAM的尋址方式也有所不同建強保護。雖然通常我們都認(rèn)為內(nèi)存像一個長長的數(shù)組呈一維排列同期，但實(shí)際上內(nèi)存是以一個二維數(shù)組的形式排列的，每個單元都有其行地址和列地址使命責任，當(dāng)然cache也一樣效果。而這兩者的不同在于對于容量較小的SRAM，我們可以將行地址和列地址一次性傳入到SRAM中合規意識，而如果我們對DRAM也這樣做的話密度增加，則需要很多很多根地址線（容量越大，地址越長創新內容，地址位數(shù)越多）機遇與挑戰。所以我們選擇分別傳送行地址和列地址到DRAM中。先選中一整行善於監督，然后將整行數(shù)據(jù)存到一個鎖存器中集成技術，等待列地址的傳送然后選中所需要的數(shù)據(jù)。這也是為什么SRAM比DRAM快的原因之一更合理。