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技術(shù)支持

單片機STM32F407如何外擴SRAM存儲器芯片

2017-05-25 11:55:52

在設計的過程中便利性,我們在使用單片機STM32F407如果遇到數(shù)據(jù)內(nèi)存不夠使用覆蓋範圍,需要進行外擴SRAM存儲器芯片支撐能力,那應該如何設置,
可以采用IS62WV51216(EM681FV16BU-55LF)的SRAM存儲器芯片作為存儲的外擴芯片要落實好,
首先實現(xiàn) IS62WV51216(EM681FV16BU-55LF)的訪問服務機製,需要對 FSMC進行哪些配置力量。
以上是大概步驟的詮釋:
步驟如下:
 
  1. 使能 FSMC 時鐘持續發展,并配置 FSMC 相關的 IO 及其時鐘使能。
 
 在使用FSMC前經驗分享,我們要先將其時鐘開啟解決方案。然后把 FSMC_D0~15,F(xiàn)SMCA0~18 等相關IO接口有力扭轉,通通改為復用輸出的配置上高質量,最后使能各 IO 組的時鐘。
 
 使能 FSMC 時鐘的方法:
 
 RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
 
2. 設置 FSMC BANK1 區(qū)域 3廣度和深度。
 
FSMC BANK1 區(qū)域 3已經(jīng)包括設置區(qū)域 3 的SRAM存儲器的位寬深入交流、工作模式和讀寫時序等等。我們啟動使用模式 A、16 位寬臺上與臺下,并讓讀寫共同使用一個時序寄存器用的舒心。
使用的函數(shù)是:
 void FSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef* FSMC_NORSRAMInitStruct)
 
3. 使能 BANK1 區(qū)域 3。
 
使用的函數(shù)是:
 void FSMC_NORSRAMCmd(uint32_t FSMC_Bank, FunctionalState NewState)集聚效應;
 
 
以上三個步驟集成,我們就完成了對FSMC的配置設置,設置完畢后就可以訪問IS62WV51216(EM681FV16BU-55LF)確定性,需要注意的一點建議,我們選擇 BANK1 的區(qū)域3使用,因此 HADDR[27:26]=10相貫通,而外部內(nèi)存的首地址設置為 0X68000000。
 
在單片機設計de的過程中我們可以遇到不同容量的型號考慮選擇積極影響,以下是同類型型號的選擇自動化方案,可以作為參考
Density Org. Part number Speed Package Type Voltage
16Mb x16 EM6168FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
16Mb x16 EM6168FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
16Mb x16 EM6169FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
16Mb x16 EM6169FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x8 EM681FV8BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV8BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM680FV8B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM680FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM680FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x16 EM681FV16B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM681FV8B-45LF 45ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
8Mb x8 EM681FV8B-55LF 55ns BGA 48B 8x10x1.0 2.7~3.6V
4Mb x16 EM641FV16F-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
4Mb x16 EM640FV16F-55LF 55ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
4Mb x8 EM641FT8S-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 5V
4Mb x8 EM641FV8FS-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
4Mb x8 EM641FV8FS-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
4Mb x16 EM641FV16FU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM641FV16FU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM643FV16FU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM643FV16FU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM643FV16FU-70LF 70ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM640FV16F-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
4Mb x16 EM646FV16FU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
4Mb x16 EM646FV16FU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x16 EM620FV16BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2MB x16 EM620FV16BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x8 EM620FV8BS-70LF 70ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x8 EM620FV8BS-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x8 EM620FV8BS-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x16 EM620FV16B-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x16 EM620FV16B-55LF 55ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16BU-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16BU-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16B-45LF 45ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x16 EM621FV16B-55LF 55ns BGA 48B 6x7x1.0 2.7~3.6V
2Mb x8 EM621FV8BS-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
2Mb x8 EM621FV8BS-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8S-45LF 45ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8S-55LF 55ns STSOPI 32L 8x13.4 2.7~3.6V
1Mb x16 EM610FV16U-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x16 EM610FV16U-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8T-45LF 45ns TSOPI 32L 8x20 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8T-55LF 55ns TSOPI 32L 8x20 2.7~3.6V
1Mb x8 EM610FV8T-70LF 70ns TSOPI 32L 8x20 2.7~3.6V
1Mb x16 EM611FV16U-45LF 45ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x16 EM611FV16U-55LF 55ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
1Mb x16 EM611FV16U-70LF 70ns TSOPII 44L 11.76x18.41x1.2 2.7~3.6V
 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM越來越重要、MRAM線上線下、pSRAM、 FLASH芯片醒悟、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案數據顯示。
 
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