串行SRAM
串行SRAM是一款獨立的非揮發(fā)性存儲器芯片，能夠以低成本且簡單的方式被設(shè)計者向應(yīng)用中添加更多RAM,8個引腳解決方案，低功耗高質量，高性能的串行SRAM器件的擦寫次數(shù)沒有限制且寫入時間為零技術節能，適合數(shù)據(jù)傳輸，緩存推進一步，數(shù)據(jù)記錄生產效率，互聯(lián)網(wǎng)引領，圖形緩存以及其他數(shù)據(jù)功能的應(yīng)用培訓。容量可達64 Kb至1 Mb的容量不合理波動，支持SPI、SDI和SQI總線模式重要工具。

串行NVSRAM
串行NVSRAM提供了一種非易失性RAM存儲方案積極拓展新的領域，非常適合需要經(jīng)常向存儲器寫入數(shù)據(jù)的應(yīng)用。 該器件的成本大大低于其他非易失性RAM器件更優質，通過外部電池來備份數(shù)據(jù)相對開放。 該8引腳SPI器件支持對存儲陣列執(zhí)行無限次瞬時寫入操作，是計量脫穎而出、數(shù)據(jù)采集器拓展應用、數(shù)據(jù)記錄器和黑盒子等應(yīng)用的理想之選。 這些器件可提供512 Kb和1 Mb容量結構。

串行NVSRAM對于經(jīng)常需要向存儲器寫入數(shù)據(jù)的應(yīng)用提供了一種非易失性的RAM的存儲方案管理，成本遠遠低于其他非易失性RAM器件，通過外部電池來備份數(shù)據(jù)能力建設，該器件還支持對存儲無限次瞬時寫入操作模樣，可以應(yīng)用于數(shù)據(jù)采集器，計量服務，黑盒子和數(shù)據(jù)記錄器很重要，容量可提供512 Kb和1 Mb容量。

串行SRAM為向應(yīng)用添加RAM提供了一種簡單低成本的方式穩定發展，這些器件采用8引腳的封裝并同時有SPI接口基石之一，可以在設(shè)計中提供更多靈活性，串行NVSRAM器件提供了低成本的非易失性SRAM或者FRAM存儲解決方案增持能力，串行NVSRAM除了有低功耗的設(shè)計還支持對存儲陣列執(zhí)行無限次瞬時寫入操作共同努力，并且斷電時可以通過外部電池自動備份存儲數(shù)據(jù)。

擴展RAM的方式
1.    使用RAM資源更大的單片機追求卓越，如果是為了獲取更大的RAM資源逐漸完善，會增加不必要的成本，
2.    使用外部并行RAM合理需求，但是并行RAM一般封裝都比較大是目前主流，至少需要16-20個I/O。占用了單片機的資源高質量。
3.    串行SRAM現(xiàn)在支持向設(shè)計中靈活添加RAM充分發揮，而不會帶來大型單片機或并行RAM的缺點，它使用簡單的4引腳SPI接口管理。 SDI和SQI接口可將數(shù)據(jù)速率提高4倍設計，這些器件還會通過這兩個接口來提升性能業務指導。



與其他存儲器技術(shù)相比的優(yōu)勢：

串行SRAM為客戶提供了成本最低的RAM擴展解決方案。 串行SRAM器件支持5V電壓就此掀開，具有易于使用的SPI接口并采用小型8引腳封裝長足發展，非常適合需要額外RAM的應(yīng)用或是可將數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄穩步前行、圖形結構不合理、數(shù)學(xué)、音頻和視頻等重復(fù)的數(shù)據(jù)密集型功能交由片外存儲器處理的應(yīng)用逐步改善。 串行SRAM可提供64 Kb至1 Mb的容量意見征詢。
串行NVSRAM的成本明顯低于其他任何并行、串行的NVSRAM或FRAM大大提高。 串行NVSRAM使用外部電池來實現(xiàn)非易失性存儲示範。 這對于計量、黑盒子和其他數(shù)據(jù)記錄等應(yīng)用非常有益有很大提升空間，這些應(yīng)用需要擦寫次數(shù)沒有限制或需要瞬時寫入以及非易失性存儲運行好。 串行NVSRAM可提供512 Kb至1 Mb的容量。
 

串行SRAM和NVSRAM在尺寸可能性更大、電壓部署安排、速度、功耗和成本等方面帶來了諸多優(yōu)勢共享應用。
串行SRAM總線模式——SPI生產能力、SDI和SQI：
串行SRAM器件設(shè)計用于通過標(biāo)準(zhǔn)SPI接口以20 MHz的頻率工作。 在512 Kb和1 Mb器件上示範推廣，SO和SI（引腳2和引腳5）與SIO2和SIO3（引腳4和引腳7）設(shè)計用作雙向I/O引腳堅持好。
在SQI模式下，全部4個引腳（引腳2大幅增加、4特性、5和7）均配置為可隨時高效進行讀或?qū)懖僮鳎_保在一個時鐘周期內(nèi)通過總線傳輸4位等特點，這實際上會獲得4倍數(shù)據(jù)速率建言直達。例如，標(biāo)準(zhǔn)SPI模式下需花費40個時鐘周期才能完成的任務(wù)現(xiàn)在可以在40/4 = 10個時鐘周期內(nèi)完成將進一步。 需要快速傳輸大量數(shù)據(jù)時充分發揮，該功能十分有用。
在SDI模式下成就，只有兩個引腳（引腳2和引腳5）配置為雙向I/O引腳重要方式，可獲得最高2倍的數(shù)據(jù)速率。 我們的標(biāo)準(zhǔn)512 Kb和1 Mb SRAM器件可在SDI和SQI模式下使用系統。
相同尺寸的相同器件可用于SDI和SQI非常重要。

下圖給出了在SPI自動化、SDI和SQI模式下以20 MHz向23LC1024 1 Mb SPI SRAM寫入128 KB存儲內(nèi)容所需的時間。 從中可看出高品質，SQI比標(biāo)準(zhǔn)SPI快75%。

 

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