閃存芯片價(jià)格價(jià)格增長(zhǎng)放緩
2018-05-08 15:31:39
在過去的兩年時(shí)間里解決問題，內(nèi)存價(jià)格瘋漲了好幾倍，瘋漲的價(jià)格讓三星電子便利性、SK 海力士以及美光科技等存儲(chǔ)巨頭賺的盆滿缽滿結構重塑，但普通消費(fèi)者卻苦叫連連聽得懂。在經(jīng)歷了兩年的瘋狂期后應用優勢，內(nèi)存市場(chǎng)終于有開始降溫的趨勢(shì)。最近包括三星全方位、蘋果和一些研究機(jī)構(gòu)都發(fā)出預(yù)測(cè)高效節能，表示內(nèi)存芯片價(jià)格在今年將會(huì)進(jìn)入穩(wěn)定期，而且閃存芯片價(jià)格有望降低大局。
蘋果公司財(cái)務(wù)長(zhǎng)Luca Maestri表示新創新即將到來，NAND閃存芯片市場(chǎng)馬上就會(huì)出現(xiàn)新變化，而且DRAM內(nèi)存芯片的價(jià)格即將觸頂有序推進，不會(huì)再上漲設施。
以蘋果產(chǎn)品中的iPhone X為例，其BOM成本為370美元堅定不移，其中內(nèi)存芯片的成本為33.45美元組合運用，比自家的A11處理器都貴，所以內(nèi)存迎難而上、閃存芯片價(jià)格的變動(dòng)對(duì)銷量動(dòng)輒上億臺(tái)的蘋果影響還挺大脫穎而出。
三星電子日前透露，自己的存儲(chǔ)器事業(yè)在今年第二季度表現(xiàn)依舊強(qiáng)勁生產創效，但是盈利想要再增長(zhǎng)卻不太容易結構。其中第二季度的NAND報(bào)價(jià)將會(huì)呈現(xiàn)疲軟狀態(tài)，但DRAM的表現(xiàn)會(huì)依舊強(qiáng)勁優化上下。
由于去年底三星能力建設、東芝、美光等公司64層3DNAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)不斷創新，NAND閃存芯片市場(chǎng)在2018年第一季度就已經(jīng)出現(xiàn)供過于求現(xiàn)象建立和完善，第二季度將維持小幅度的供過于求的狀態(tài)，價(jià)格也會(huì)持續(xù)下跌參與水平。
同時(shí)大型，集邦咨詢DRAMeXchange指出，受到臺(tái)灣美光“氮?dú)忾T”事件的影響明確相關要求，DRAM市場(chǎng)供不應(yīng)求的狀態(tài)會(huì)繼續(xù)延續(xù)重要意義，第二季度的標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格還會(huì)再上漲3%，但對(duì)比第一季度的上漲5%深化涉外，增幅已經(jīng)縮小體系。
本文關(guān)鍵詞：
NAND閃存芯片
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