單片機(jī)GD32F205RCT6外擴(kuò)SRAM
2018-09-18 11:33:57
GD32F205RCT6是基于Cortex M3內(nèi)核32bit(位)通用型MUC產(chǎn)品保持穩定,主頻為120MHz, 片內(nèi)閃存(Flash) 最大為256KB, RAM最大為128KB, 供電電壓范圍為2.6V-3.6V,內(nèi)核的供電電壓為1 .2V, l/O口可承受5V電平關註,內(nèi)嵌實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC) 和2個(gè)看門(mén)狗(WDG), 集成了豐富的外設(shè)功能左右,這款單片機(jī)GD32F205RCT6面向工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)嵌入式應(yīng)用服務品質,適用于工業(yè)自動(dòng)化的發生、人機(jī)界面、電機(jī)控制影響、安防監(jiān)控新的動力、智能家居家電及物聯(lián)網(wǎng)等,
單片機(jī)GD32F205RCT6內(nèi)置SRAM為128KB的內(nèi)存,但在面對(duì)實(shí)際上的應(yīng)用設(shè)計(jì)中發展契機,如果出現(xiàn)單片機(jī)內(nèi)置SRAM內(nèi)存不夠的情況像一棵樹,大部分設(shè)計(jì)人員會(huì)考慮外擴(kuò)SRAM,SRAM在速度是要比nor flash跟SDRAM要快去突破,也不存在讀寫(xiě)限制的問(wèn)題能運用,確實(shí)是考慮外擴(kuò)內(nèi)存的首選,但如果采用并口外擴(kuò)內(nèi)存需要較多的MCU管腳智能設備,給MCU無(wú)形中帶來(lái)了更多功能性的限制不可缺少,并且也并非大部分的MCU可以支持, 如果采用串行SRAM作為單片機(jī)外擴(kuò)的資源特點,相對(duì)來(lái)說(shuō)更好積極回應,串行
SRAM只需要八個(gè)管腳,SOP-8的封裝可以讓PCBA減少一定的面板面積向好態勢,
GD32F205RCT6這款MCU是支持SPI接口的平臺建設,并且有三個(gè)SPI,可以通過(guò)用SPI接口外擴(kuò)串行SRAM對(duì)單片機(jī)進(jìn)行內(nèi)存的拓展貢獻力量。串行SRAM其實(shí)嚴(yán)格來(lái)說(shuō)是一種偽靜態(tài)SRAM使用,也有人叫做PSRAM, PSRAM - Pseudo SRAM是一種具有SRAM接口協(xié)議(無(wú)需刷新,無(wú)需DRAM控制器)發行速度、具有DRAM單管存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器更加堅強,比SRAM容量大很多,價(jià)格便宜很多性能,比SDRAM容易使用初步建立,功耗也低很多。不失為外擴(kuò)單片機(jī)內(nèi)存的一種解決方案供給。
我司推薦一款串行SRAM,容量為8MB并有高達(dá)50MB/s的帶寬的方法。只需要由SPI或QPI接口并可以使用,可以提供400MB/s或者3.2Gbps的數(shù)據(jù)吞吐速率進行探討。
以下為型號(hào)參考:
Density |
Organization |
Part NO. |
Vcc(V) |
Speed(MHz) |
Bus Modes |
Temp. |
Package |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
104 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3 |
104 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
32Mbit |
4M x 8 |
VTI7032LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
32Mbit |
4M x 8 |
VTI7032LSM |
1.8 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
16Mbit |
2M x 8 |
VTI7016LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
16Mbit |
2M x 8 |
VTI7016LSM |
1.8 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
1Mbit |
128K x 8 |
VTI7001LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
1Mbit |
128K x 8 |
VTI7001NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
512Kbit |
64K x 8 |
VTI7512LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
512Kbit |
64K x 8 |
VTI7512NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
256Kbit |
32K x 8 |
VTI7256LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
256Kbit |
32K x 8 |
VTI7256NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
128Kbit |
16K x 8 |
VTI7128LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
128Kbit |
16K x 8 |
VTI7128NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
本文關(guān)鍵詞:SRAM
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