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      偽靜態(tài)存儲器(Parrallel pSRAM)的設計是用于直接替代靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)推動,即使內部存儲器的操作并非靜態(tài)服務水平。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機存儲器(PSRAM)及鐵電隨機存儲器(F—RAM)全面闡釋。PSRAM針對慢速SRAM應用;當純粹計算每個位的成本時具有競爭優(yōu)勢橋梁作用。F-RAM針對電池后備SRAM(即BBSRAM)應用,在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得,在這種應用中可以提供卓越的性能。
ISSIISSI是一家專門設計不斷發展,開發(fā)積極影響,銷售高性能PSRAM存儲芯片半導體產(chǎn)品的,PSRAM產(chǎn)品有8Mb/16Mb/32Mb/64Mb四種容量緊密協作,封裝為BGA越來越重要,可用于Internet存儲器件、網(wǎng)絡設備發揮重要作用、遠程通訊和移動通訊設備醒悟、計算機外設等「哔|量?捎肑SC,VTI等品牌進行PIN to PIN替換兼容也逐步提升。該品牌非我司代理產(chǎn)品線


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