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Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲(chǔ)器生產能力，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)標準，來(lái)提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性示範推廣。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息，以在單一大面積、可無(wú)限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性積極參與。Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來(lái)的一家獨(dú)立公司。2006年培養，Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品供給。今日不折不扣，Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化、游戲適應性強、能源管理領域、通訊結構不合理、運(yùn)輸的發生、和航空電子領(lǐng)域。

Everspin Technologies MR25H256 / MR25H10 / MR25H40 SPI串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行閃存的讀/寫時(shí)序可靠保障，沒有寫入延遲自然條件，而且耐讀/寫能力出色。與其他串行存儲(chǔ)器不同開展，這些存儲(chǔ)器的讀/寫操作可以是隨機(jī)的互動互補，而且沒有寫入延遲。
采用5 mm x 6 mm 8引腳DFN封裝或5 mm x 6 mm 8引腳DFN Small Flag封裝意向，并且都與閃存意料之外、串行EEPROM和FeRAM產(chǎn)品兼容。

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