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LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR(部分陣列自刷新自然條件、自動 TCSR(溫度補償自刷新)根據(jù)芯片溫度改變刷新周期可持續、根據(jù)使用情況改變驅(qū)動器強度的模式引領作用、DPD 深度掉電)模式等集中展示。
JSC在物聯(lián)網(wǎng)市場擁有強大的全球競爭力飛躍,專注于存儲半導(dǎo)體的整體解決方案參與水平。
JSC 邁向成功的第一步始于 2000 年專注于移動內(nèi)存的開發(fā)——這使得 JSC 的技術(shù)能力獲得了無數(shù)全球知名移動公司的認可可能性更大。LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR(部分陣列自刷新機構、自動 TCSR(溫度補償自刷新)根據(jù)芯片溫度改變刷新周期、根據(jù)使用情況改變驅(qū)動器強度的模式長效機製、DPD 深度掉電)模式等講實踐。
Part Number Density Data width Voltage Max Frequency Package Type Status PDF下載
JSL24G328WABQ-D25AM 4Gb x32 1.8V/1.2V 533Mhz 134B(10x11.5mm) M/P 暫無
JSL22G168WABQ-25AI 2Gb x16 1.8V/1.2V 533Mhz 134B(10x11.5mm) Sample Now 暫無
JSL22G328WABQ-25A 2Gb x32 1.8V/1.2V 533Mhz 134B(10x11.5mm) M/P 暫無
JSI22G328WABQ-25AM 2Gb x32 1.8V/1.2V 533Mhz 134B(10x11.5mm) M/P 暫無
JSL22G328WABQ-25M 2Gb x32 1.8V/1.2V 400Mhz 134B(10x11.5mm) M/P 暫無
JSL22G328WABQ-D25AM 2Gb x32 1.8V/1.2V 533Mhz 134B(10x11.5mm) M/P 暫無
JSL22G328WABQ-25A 2Gb x32 1.8V/1.2V 533Mhz 134B(10x11.5mm) Sample Now 暫無
JSL22G328WABQ-25AM 2Gb x32 1.8V/1.2V 533Mhz 134B(10x11.5mm) M/P 暫無
JSL22G328WBBQ-25 2Gb x32 1.8V/1.2V 400Mhz 134B(10x11.5mm) Sample Now 暫無
JSL2B1G328WABQ-25A 1Gb x32 1.8V/1.2V 533Mhz 134B(10x11.5mm) Sample Now 暫無
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