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LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR(部分陣列自刷新、自動 TCSR(溫度補(bǔ)償自刷新)根據(jù)芯片溫度改變刷新周期、根據(jù)使用情況改變驅(qū)動器強(qiáng)度的模式、DPD 深度掉電)模式等相關性。
JSC在物聯(lián)網(wǎng)市場擁有強(qiáng)大的全球競爭力,專注于存儲半導(dǎo)體的整體解決方案範圍。
JSC 邁向成功的第一步始于 2000 年專注于移動內(nèi)存的開發(fā)——這使得 JSC 的技術(shù)能力獲得了無數(shù)全球知名移動公司的認(rèn)可綜合運用。LPDRAM 有幾種 Block Refresh PASR(部分陣列自刷新全面協議、自動 TCSR(溫度補(bǔ)償自刷新)根據(jù)芯片溫度改變刷新周期能力建設、根據(jù)使用情況改變驅(qū)動器強(qiáng)度的模式關註、DPD 深度掉電)模式等。
Type Part Number Density BUS Voltage Max Frequency Package Type Status PDF下載
LPDDR4x2CHx32 JSL4BAG329ZAMF-05 16Gb x32 1.8V/0.6V 1866Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now 暫無
LPDDR4x2CHx32 JSL4BAG329ZAMF-05A 16Gb x32 1.8V/0.6V 2133Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now 暫無
LPDDR4x2CHx32 JSL4A8G329ZAMF-05 8Gb x32 1.8V/0.6V 1866Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now 暫無
LPDDR4x2CHx32 JSL04A8G329ZAMF-05A 8Gb x32 1.8V/0.6V 2133Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now 暫無
LPDDR4x1CHx16 JSL4B8G168ZAMF-05 8Gb x16 1.8V/0.6V 1866Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now 暫無
LPDDR4x1CHX16 JSL4B8G168ZAMF-05A 8Gb x16 1.8V/0.6V 2133Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now 暫無
LPDDR4x1CHx16 JSL4A4G168ZAMF-05A 4Gb x16 1.8V/0.6V 2133Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now 暫無
LPDDR4x1CHx16 JSL4A4G168ZAMF-05 4Gb x16 1.8V/0.6V 1866Mhz 200B(10.0x15.0mm) Sample Now 暫無
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