MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器深度。它擁有SRAM的高速讀取寫(xiě)入能力有所增加，以及DRAM的高集成度敢於監督，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。MRAM具有接近零的靜態(tài)功耗稍有不慎，較高的讀寫(xiě)速度，與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝相兼容等優(yōu)點(diǎn)，在車(chē)用電子與穿戴設(shè)備等領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化應(yīng)用，被認(rèn)為是最有希望的下一代存儲(chǔ)器之一意見征詢。
 
Everspin在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)制造和交付相關(guān)應(yīng)用方面的知識(shí)和經(jīng)驗(yàn)在半導(dǎo)體行業(yè)中是翹楚。Everspin擁有600多項(xiàng)有效專(zhuān)利和應(yīng)用的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合大大提高，在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié) (MTJ) STT-MRAM 位單元的開(kāi)發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。  
 
MR4A08BCYS35是一款容量16Mb的磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器MRAM芯片研究成果，位寬2Mx8位字取得了一定進展。提供與SRAM兼容的35ns的快速讀/寫(xiě)周期，具有無(wú)限讀寫(xiě)耐力大面積，數(shù)據(jù)在超過(guò)20年的時(shí)間里始終是非易失性的積極參與。數(shù)據(jù)通過(guò)低壓抑制電路在斷電時(shí)自動(dòng)保護(hù)，以防止電壓超出規(guī)格的寫(xiě)入培養。是必須快速永久存儲(chǔ)和檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用的理想內(nèi)存解決方案交流研討。
 
MR4A08BCYS35采用符合RoHS的小尺寸TSOP2封裝。封裝兼容與類(lèi)似的低功耗SRAM產(chǎn)品和其他非易失性ram產(chǎn)品形式。通過(guò)更換電池供電的SRAM提高可靠性建設應用，實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)單、更高效的設(shè)計(jì)日漸深入。在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)動力。更多產(chǎn)品相關(guān)信息Everspin代理請(qǐng)洽英尚微。


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