目前唯一可行的SRAM替代品就是更多的SRAM各領域，因此預(yù)計(jì)SRAM會(huì)直接占用更多的面積提供深度撮合服務。這并不是說不期望更多的 SRAM 擴(kuò)展。雖然確實(shí)希望臺(tái)積電和其他代工廠生產(chǎn)更密集的SRAM創新延展，但歷史上的擴(kuò)展似乎已經(jīng)正式結(jié)束強化意識。
 
除了SRAM，業(yè)界一直在研究許多其他替代內(nèi)存架構(gòu)基本情況。新興的內(nèi)存技術(shù)包括 MRAM現場、FeRAM、NRAM力量、RRAM我有所應、STT-RAM、PCM 等提升行動。與SRAM 相比能力建設，這些新興的內(nèi)存位單元提供了獨(dú)特的權(quán)衡，例如在較低的讀/寫規(guī)范下具有更高的密度研究進展、非易失性能力無障礙、較低的讀寫周期能力，或者在可能較低的密度或速度下具有較低的功耗快速融入。雖然它們不是 SRAM 的直接替代品認為，但向前發(fā)展它們可能會(huì)扮演4級(jí)或5級(jí)緩存的角色，其中較低的性能權(quán)衡可以通過更高的密度來抵消。


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