IBM選擇MRAM持久性存儲器解決方案開發(fā)商和制造商Everspi的PERSYST EMD4E001G 1Gb STT-MRAM用于其FlashCore模塊4生產製造。EMD4E001G是一種高性能永久性存儲器，即使在斷電時也能確保關(guān)鍵數(shù)據(jù)的完整性。憑借DDR4接口著力增加，它提供2.7千兆字節(jié)/秒的讀寫帶寬落地生根，以及即時非易失性過程中。Everspin的PERSYST技術(shù)為持久內(nèi)存性能設(shè)定了標(biāo)準(zhǔn)兩個角度入手。
 
    IBM決定在其新發(fā)布的FCM4中使用PERSYST 1Gb MRAM去創新，這反映了Everspin創(chuàng)新技術(shù)的穩(wěn)健性和質(zhì)量成效與經驗。Everspin的PERSYST產(chǎn)品線是一套全面的解決方案著力提升，包括傳統(tǒng)的Toggle MRAM、類似DDR4的1Gb STT-MRAM，以及創(chuàng)新的EMxxLX xSPI系列持久性存儲器產(chǎn)品融合。官方代理英尚可提供更多MRAM詳情及樣品測試深入闡釋。


本文關(guān)鍵詞：?STT-MRAM,MRAM

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