我司英尚代理的MR25H10CDFR是一款具備1,048,576位存儲容量的磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備全技術方案，由131,072個8位字構(gòu)成大大縮短。該設備提供與串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，無寫延遲，并且其讀/寫壽命是不受限制的。

 

    與其它串行存儲器不同，MR25H10CDFR支持在內(nèi)存中隨機進行讀取和寫入操作，且兩次寫入之間無需等待。對于那些需要使用有限的I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)及程序的應用場景至關重要，MR25H10CDFR是理想的存儲器選擇。

 

    MR25H10CDFR采用8DFN封裝服務品質，與串行EEPROM的發生、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。該產(chǎn)品能在廣泛的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲影響，支持工業(yè)級（-40°至+85℃）和AEC-Q1001級（-40℃至+125℃）的工作溫度范圍新的動力。

 

    對于需要使用最少數(shù)量的引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)及程序的應用，MR25H10CDFR是理想的MRAM芯片選擇發展契機。它提供AEC-Q1001級合格選項廣泛關註，具備40MHz的讀寫速度和無限的耐力。數(shù)據(jù)具有非易失性發力，可保留長達20年優勢領先，并在斷電時自動保護。此外共創美好，它還支持塊寫保護推動並實現，擁有快速且簡單的SPI接口，時鐘速率高達40MHz覆蓋範圍，工作電壓范圍為2.7至3.6伏優化程度，并具備低電流睡眠模式。該產(chǎn)品符合工業(yè)溫度標準奮勇向前，并提供8引腳DFN封裝或符合RoHS標準的小標志包裝取得明顯成效，可直接替換現(xiàn)有的串行EEPROM、閃存和FeRAM貢獻力量。

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