XRAM是一種旨在以具有競爭力的價格提供高密度和高性能ram的新型內(nèi)存體系結(jié)構(gòu).XRAM使用先進的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)顯著提高了內(nèi)存密度并簡化了用戶界面交流等。
 
XRAM是一種基于先進的DRAM工藝，再結(jié)合星憶創(chuàng)新的三態(tài)DRAM和免刷新DRAM兩種專利技術(shù)的新型存儲器件規劃。不同于傳統(tǒng)的DRAM芯片和SRAM提高，它具有以下特點：
• 成本 同等條件下晶圓面積節(jié)省30% ，晶圓產(chǎn)出預(yù)估可以增加25%
• 速度, 數(shù)據(jù)讀取延時達到10ns級基礎上，相比DRAM要快10倍
• 存儲密度, 單片支持Mbit和Gbit
• 功耗, 存儲陣列損耗減少40%
• 無刷新, 簡化控制器設(shè)計和時序操作各領域，完全隨機訪問，提高總線利用率
• 高可靠性保持競爭優勢，支持-40~125攝氏度環(huán)境溫度
 
 
XM8A01M16V33A在功能上等效于異步SRAM，是一種高性能16M CMOS國產(chǎn)SRAM存儲器芯片發展機遇，組織為1024K字乘以16位和2048K字乘以8位長效機製，支持異步SRAM存儲芯片接口。
     
XM8A01M16V33A特征
•異步XRAM芯片內(nèi)存
•高速訪問時間
•tAA = 10/12納秒
•低有功功率
•ICC = 80 MHz時為75 mA
•低CMOS待機電流
•ISB2 = 40 mA（典型值）
•工作電壓范圍：2.2 V至3.6 V
•取消選擇時自動掉電
•TTL兼容的輸入和輸出
•提供44引腳TSOP II全技術方案，48引腳TSOP I封裝和48焊球FBGA封裝
 
星憶存儲專注于XRAM產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計分享，提供高性能和低延時，低功耗及免刷新動態(tài)隨機存儲器芯片產(chǎn)品信息化。致力于通過創(chuàng)新型存儲芯片技術(shù)商業(yè)化方式之一、產(chǎn)業(yè)化的過程，帶動國產(chǎn)存儲器芯片的底層技術(shù)攻關(guān)和相關(guān)科研工作新型儲能，從而推動國產(chǎn)存儲芯片設(shè)計前端產(chǎn)業(yè)變革和更進一步的發(fā)展創新能力。星憶存儲代理商英尚微電子支持提供驅(qū)動、例程範圍、必要的FAE支持等技術(shù)支持求得平衡。
 

 

上一篇文章：富士通FRAM在ADAS中的應(yīng)用
 

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM空間廣闊、MRAM至關重要、pSRAM、 FLASH芯片服務品質、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案的發生。

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