Everspin成立于2006年，是從飛思卡爾分離出來的一家半導(dǎo)體科技公司能力和水平，以領(lǐng)導(dǎo)非易失性MRAM存儲(chǔ)芯片為公司主導(dǎo)致力于非易失性存儲(chǔ)芯片的發(fā)展新創新即將到來，是全球唯一一家專業(yè)生產(chǎn)銷售磁性隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)深入開展，目前該產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于多個(gè)行業(yè)結構，如人工智能，金融數(shù)據(jù)等組成部分。
 
Everspin一款串口mram芯片長效機製，型號(hào)為MR25H10CDF，工作溫度范圍：-40℃to+85℃重要的意義，是一款工業(yè)級(jí)別的存儲(chǔ)芯片持續，可用于工控設(shè)備的應(yīng)用，特別是對(duì)溫度有嚴(yán)格要求的應(yīng)用再獲，存儲(chǔ)容量1Mb（128Kx8）高質量，數(shù)據(jù)位寬8位。
 
MR25H10CDF提供串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫定時(shí)激發創作，沒有寫入延遲和無限讀/寫耐久性前景。與其他串行存儲(chǔ)器不同，讀取和寫入都可以在內(nèi)存中隨機(jī)發(fā)生增幅最大，寫入之間沒有延遲共享應用。MR25H10是用于使用少量I/O引腳快速存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用的理想內(nèi)存解決方案。封裝采用5mmx6mm Small Flag 8-DFN提供標準。兩與串行EEPROM示範推廣，F(xiàn)LASH和FERAM產(chǎn)品兼容。
 
MR25H10CDF在各種溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)即將展開。該產(chǎn)品提供工業(yè)（-40℃至+85℃）和AEC-Q100級(jí)（-40℃至+125℃）的工作溫度范圍選項(xiàng)大幅增加。
 
MR25H10CDF特點(diǎn)
•沒有寫延遲
•無限制寫耐力
•數(shù)據(jù)保留超過20年
•電源損耗的自動(dòng)數(shù)據(jù)保護(hù)
•塊寫保護(hù)
•快速，簡單的SPI接口傳承，最高速度為40MHz時(shí)鐘速率
•2.7至3.6伏電源范圍
•低電流睡眠模式
•工業(yè)溫度
•提供Small Flag 8-DFN RoHS兼容封裝
•直接更換串行EEPROM等特點，F(xiàn)lash，F(xiàn)eram
•AEC-Q100等級(jí)1選項(xiàng)
 
MRAM是一種利用電子自旋來存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)多種。everspin MRAM 具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力,能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合將進一步，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。MRAM 可以抵抗高輻射發展成就，可以在極端溫度條件下運(yùn)行成就，并且可以防篡改。這使得 MRAM 適用于汽車開展面對面、工業(yè)研究進展、軍事和太空應(yīng)用。


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