為了進行性能比較，使用了三種不同的存儲芯片良好，即Everspin EM064LX 64Mib STT‐MRAM統籌發展、Micron MT25Q 128Mib NOR閃存和Micron MT29F 1Gib SLC NAND閃存平臺建設。
 
   對于每個芯片廣度和深度，讀取/寫入64MiB的數(shù)據(jù)競爭力所在，從地址0開始今年，到地址8388608（8MiB）結(jié)束聯動。我們對各種訪問大小重復(fù)該過程：2KiB、4KiB動力、8KiB同時、16KiB互動式宣講、32KiB和64KiB。在閃存中模式，每個塊在寫入第一頁之前都會被擦除自動化。擦除時間包括在寫入吞吐量測量中。
 
   該基準測試在STM32H755ZI上運行發揮重要帶動作用，Cortex‐M7內(nèi)核的時鐘頻率為240MHz意向。Quad SPI總線用于1‐4‐4配置，時鐘頻率為120MHz重要方式，接近133MHz的最大支持頻率（所有三個設(shè)備都相同）開展面對面。除了內(nèi)存驅(qū)動程序之外，所有三種設(shè)備的基準測試代碼和配置都完全相同非常重要。
 
   從測試芯片獲得的平均寫入吞吐量如圖1所示。有幾件事立刻引人注目空間廣闊。首先也是最明顯的一點是營造一處，MRAM的寫入性能大約是NAND閃存的五倍，是NOR閃存的兩百倍知識和技能。從圖1中可以看出MRAM的性能是如何受CPU限制的取得顯著成效。也就是說，對于小的訪問實現，在驅(qū)動程序代碼中花費的時間不容忽視，特別是為請求的傳輸設(shè)置DMA的時間，與實際傳輸時間相比足夠長服務體系，從而限制了整體吞吐量說服力。這表明，隨著原始設(shè)備性能的提高分析，數(shù)據(jù)存儲軟件的挑戰(zhàn)在未來可能會發(fā)生變化表示。對于閃存技術(shù)，尤其是NOR閃存非常激烈，吞吐量優(yōu)化主要是最小化讀寫放大競爭力所在。在CPU周期中付出的額外成本幾乎總是值得的。
     
   EMxxLX系列幾乎在各個方面都優(yōu)于閃存註入新的動力。MRAM和閃存之間的性能差距領先水平，特別是在訪問速度方面，特別是考慮到寫入吞吐量去完善、寫入延遲和RAM使用之間的關(guān)系橋梁作用。作為Everspin官方代理,英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持新品技。

本文關(guān)鍵詞：MRAM,EM64LX

相關(guān)文章：?MRAM應(yīng)用場景

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商，十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM求得平衡、MRAM紮實做、pSRAM、 FLASH芯片至關重要、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案提供深度撮合服務。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理：VTI、NETSOL的發生、JSC濟州半導(dǎo)體(EMLSI)組成部分、Everspin 、IPSILOG新的動力、LYONTEK的過程中、ISSI、CYPRESS廣泛關註、ISOCOME促進進步、PARAGON、SINOCHIP優勢領先、UNIIC迎來新的篇章； 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如：RAMTROM、ETRON推動並實現、FUJITSU薄弱點、LYONTEK、WILLSEMI優化程度。