Everspin xSPI STT‐MRAM在代碼和數(shù)據(jù)整合的應(yīng)用場(chǎng)景中協調機製，應(yīng)用程序代碼和少量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在同一個(gè)內(nèi)存芯片中發展機遇。這有時(shí)需要滿足嚴(yán)格的成本和空間(如物理板空間)要求影響。代碼在啟動(dòng)時(shí)加載到RAM中自然條件。文件系統(tǒng)可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)設計標準，也可能用于存儲(chǔ)固件，但經(jīng)常會(huì)使用原始訪問(wèn)互動互補。由于NORflash成本低發揮重要帶動作用、尺寸小，因此通常用于此目的意料之外。
 
    對(duì)于只讀或以讀取為中心的工作負(fù)載文化價值，這種設(shè)計(jì)非常合適。但是置之不顧，由于寫入性能差和寫入能耗高不斷完善，NOR閃存通常不適合中等寫入工作負(fù)載。NAND閃存也可用于提高寫入性能方便，但由于壞塊和軟錯(cuò)誤管理基礎上，它會(huì)帶來(lái)額外的復(fù)雜性各領域。另一個(gè)問(wèn)題是耐力。雖然大多數(shù)應(yīng)用永遠(yuǎn)不會(huì)接近NOR或SLCNAND的最大100K擦除周期保持競爭優勢，但保持力會(huì)隨著單元磨損而顯著下降進行培訓。根據(jù)未磨損設(shè)備的典型10年規(guī)格，10K循環(huán)后長效機製，保留時(shí)間可能會(huì)降至僅1年法治力量。如果固件映像以磨損塊結(jié)束(如果使用了適當(dāng)?shù)哪p均衡，這可能會(huì)發(fā)生)分享，這可能會(huì)成為一個(gè)問(wèn)題共享。
 
    Everspin xSPI STT‐MRAM封裝8DFN，容量高達(dá)64Mb表示，非常適合這種特殊的使用情形投入力度。它具有極高的寫入速度、低寫入能耗和幾乎無(wú)限的寫入耐久性不難發現。截至目前貢獻法治，NOR flash仍然比MRAM有容量?jī)?yōu)勢(shì)，但大型NOR芯片并不便宜發展需要，沒(méi)有跡象表明MRAM無(wú)法擴(kuò)大規(guī)模和成本的綜合水平攻堅克難。樣品聯(lián)系代理商英尚微電子。


本文關(guān)鍵詞：STT‐MRAM,MRAM

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