MRAM是一種利用電子自旋的磁性來提供非易失性而不會磨損的存儲器實現。MRAM將信息存儲在與硅電路集成的磁性材料中振奮起來，在單個無限耐用的設備中提供SRAM的速度和閃存的非易失性發展基礎。
 
    新興的CXL接口提供了最適合MRAM的非確定性訪問范式防控，以及支持計算機內存和存儲解決方案的協(xié)議，一直到可以組合起來解決最苛刻的計算應用的加速器足夠的實力，特別是在人工智能領域緊迫性。此外，CXL接口允許MRAM分解并與CXL總線上的大量計算節(jié)點共享結構重塑，例如在HPC用例中聽得懂。此外，CXL附加MRAM提供遠程永久內存功能高質量發展，可用于記錄數據全方位，作為寫緩存或臨時保護傳輸中的數據，消除了復雜的電源故障機制影響力範圍。
 
    在作為CXL卸載加速器的配置中大局，MRAM可以提供永久存儲器，也可以用于存儲AI推理應用的權重應用提升。顯然主動性，CXL還具有跨代將MRAM無縫連接到應用程序的優(yōu)勢創造性，減少了設備和主機的接口R&D工作發展的關鍵。CXL最后提供了一個接口選項，使用戶能夠在各種用例中部署MRAM規模設備，從而提高系統(tǒng)性能真諦所在、能效和可靠性。


本文關鍵詞：MRAM

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