自旋轉移扭矩隨機存取存儲器（STT-RAM）技術希望用其下一代MRAM取代DRAM，最終取代NAND品率。它結合了DRAM的成本優(yōu)勢供給，SRAM的快速讀寫性能以及閃存的非易失性搖籃。據(jù)說STT-RAM還解決了第一代現(xiàn)場交換MRAM的主要缺點向好態勢。

STT-RAM作為通用的可擴展存儲器具有巨大的潛在市場共創輝煌。它可以取代嵌入式SRAM和45nm的閃存相互融合，32nm的DRAM系統性，并最終取代NAND。STT-RAM是一項很有前途的技術新技術，從經濟角度考慮共同學習，STT-RAM將取代DRAM還是NAND順滑地配合。

多年來，F(xiàn)eRAM效高，MRAM前沿技術，相變，RRAM和其他技術的開發(fā)人員分別聲稱性能，它們將成為最終的通用存儲器多種方式，并取代當今的存儲器。但是許多下一代存儲器類型推向市場的時間很晚技術創新，還沒有達到高潮深入交流研討。并且今天的存儲器繼續(xù)擴展，從而消除了對下一代存儲器類型的需求廣泛應用。

任何這些新技術（例如–FRAM需求，MRAM和PCM）都有很多機會來替代現(xiàn)有技術。他們所要做的就是降低成本組合運用，使其低于已建立的內存。聽起來很簡單迎難而上，但實際上卻非常困難積極，這一挑戰(zhàn)使這些技術中的任何一種都無法達到臨界質量。

MRAM是一種利用電子自旋的磁性來提供非易失性的存儲器堅持先行。該技術具有無限的耐用性產業。STT-RAM是第二代磁性RAM技術，可以解決常規(guī)MRAM結構帶來的一些問題灮舷?，F(xiàn)在正在開發(fā)的大多數(shù)MRAM都是通過施加由流過隧道磁阻（TMR）元件附近的導線的電流產生的磁場來改變磁化強度來寫入數(shù)據(jù)的能力建設。這可以實現(xiàn)快速操作。

飛思卡爾半導體公司的子公司Everspin將其16 Mbit MRAM定位為SRAM替換生產體系，數(shù)據(jù)保留和相關市場服務。在工業(yè)及相關的嵌入式應用中，Everspin希望取代電池供電的SRAM或相關的分立解決方案能力和水平，此舉威脅著賽普拉斯覆蓋，ISSI，Maxim研究，意法半導體高效，TI等公司。

STT方法使用自旋極化電流來切換磁性位提高，這項技術消耗更少的功率并增強了可伸縮性機構。STT-RAM通過對齊流經TMR元件的電子的自旋方向來寫入數(shù)據(jù)。


本文關鍵詞： MRAM   STT-RAM

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