NOR flash帶有SRAM接口便利性，有足夠的地址引腳來尋址緊密協作，可以很容易地存取其內(nèi)部的每一個(gè)字節(jié)知識和技能。

　　NAND器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)明顯，各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同的有效手段。8個(gè)引腳用來傳送控制市場開拓、地址和數(shù)據(jù)信息資源配置。
 

　　NAND讀和寫操作采用512字節(jié)的塊優化上下，這一點(diǎn)有點(diǎn)像硬盤管理此類操作能力建設，很自然地，基于NAND的存儲(chǔ)器就可以取代硬盤或其他塊設(shè)備生產體系。
 

　　2服務、容量和成本:
 

　　NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半，由于生產(chǎn)過程更為簡單能力和水平，NAND結(jié)構(gòu)可以在給定的模具尺寸內(nèi)提供更高的容量覆蓋，也就相應(yīng)地降低了價(jià)格。
 

　　NOR flash占據(jù)了容量為1～16MB閃存市場的大部分研究，而NAND flash只是用在8～128MB的產(chǎn)品當(dāng)中高效，這也說明NOR主要應(yīng)用在代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，NAND適合于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)提高，NAND在CompactFlash機構、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲(chǔ)卡市場上所占份額最大交流。
 

　　3基礎、可靠性和耐用性:
 

　　采用flahs介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要重點(diǎn)考慮的問題是可靠性。對于需要擴(kuò)展MTBF的系統(tǒng)來說還不大，F(xiàn)lash是非常合適的存儲(chǔ)方案高產。可以從壽命(耐用性)約定管轄、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較NOR和NAND的可靠性數據。

　　A) 壽命(耐用性)
 

　　在NAND閃存中每個(gè)塊的最大擦寫次數(shù)是一百萬次，而NOR的擦寫次數(shù)是十萬次發揮。NAND存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期優(yōu)勢改進措施，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍就此掀開，每個(gè)NAND存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
 

　　B) 位交換
 

　　所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾今年。在某些情況下(很少見穩步前行，NAND發(fā)生的次數(shù)要比NOR多)，一個(gè)比特(bit)位會(huì)發(fā)生反轉(zhuǎn)或被報(bào)告反轉(zhuǎn)了動手能力。一位的變化可能不很明顯逐步改善，但是如果發(fā)生在一個(gè)關(guān)鍵文件上，這個(gè)小小的故障可能導(dǎo)致系統(tǒng)停機(jī)提升。
 

　　如果只是報(bào)告有問題大大提高，多讀幾次就可能解決了。當(dāng)然研究成果，如果這個(gè)位真的改變了取得了一定進展，就必須采用錯(cuò)誤探測/錯(cuò)誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉(zhuǎn)的問題更多見于NAND閃存大面積，NAND的供應(yīng)商建議使用NAND閃存的時(shí)候積極參與，同時(shí)使用EDC/ECC算法。這個(gè)問題對于用NAND存儲(chǔ)多媒體信息時(shí)倒不是致命的培養。當(dāng)然交流研討，如果用本地存儲(chǔ)設(shè)備來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)、配置文件或其他敏感信息時(shí)形式，必須使用EDC/ECC系統(tǒng)以確苯ㄔO應用？煽啃浴?br />  

　　C) 壞塊處理
 

　　NAND器件中的壞塊是隨機(jī)分布的日漸深入。以前也曾有過消除壞塊的努力動力，但發(fā)現(xiàn)成品率太低，代價(jià)太高互動式宣講，根本不劃算生產效率。NAND器件需要對介質(zhì)進(jìn)行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊，并將壞塊標(biāo)記為不可用適應性。在已制成的器件中節點，如果通過可靠的方法不能進(jìn)行這項(xiàng)處理，將導(dǎo)致高故障率發展成就。
 

　　4成就、易于使用:
 

　　可以非常直接地使用基于NOR的閃存，可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接開展面對面，并可以在上面直接運(yùn)行代碼系統。

　　由于需要I/O接口，NAND要復(fù)雜得多進一步提升。各種NAND器件的存取方法因廠家而異空間廣闊。

　　在使用NAND器件時(shí)營造一處，必須先寫入驅(qū)動(dòng)程序，才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作知識和技能。向NAND器件寫入信息需要相當(dāng)?shù)募记扇〉蔑@著成效，因?yàn)樵O(shè)計(jì)師絕不能向壞塊寫入，這就意味著在NAND器件上自始至終都必須進(jìn)行虛擬映射實現。
 

　　6不容忽視、軟件支持:
 

　　當(dāng)討論軟件支持的時(shí)候，應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優(yōu)化服務體系。在NOR器件上運(yùn)行代碼不需要任何的軟件支持說服力，在NAND器件上進(jìn)行同樣操作時(shí)，

      通常需要驅(qū)動(dòng)程序分析，也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動(dòng)程序(MTD)表示，NAND和NOR器件在進(jìn)行寫入和擦除操作時(shí)都需要MTD。使用NOR器件時(shí)所需要的MTD要相對少一些非常激烈，

    許多廠商都提供用于NOR器件的更高級軟件競爭力所在，這其中包括M-System的TrueFFS驅(qū)動(dòng)，該驅(qū)動(dòng)被Wind River System實力增強、QNX Software System體系流動性、Microsoft探索創新、Symbian和Intel等廠商所采用帶來全新智能。驅(qū)動(dòng)還用于對DiskOnChip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和NAND閃存的管理，包括糾錯(cuò)新產品、壞塊處理和損耗平衡去完善。
 

　　NOR FLASH的主要供應(yīng)商是INTEL ,MICRO等廠商，曾經(jīng)是FLASH的主流產(chǎn)品長遠所需，但現(xiàn)在被NAND FLASH擠的比較難受範圍。它的優(yōu)點(diǎn)是可 以直接從FLASH中運(yùn)行程序，但是工藝復(fù)雜紮實做，價(jià)格比較貴空間廣闊。
 

　　NAND FLASH的主要供應(yīng)商是SAMSUNG和東芝，在各種存儲(chǔ)卡提供深度撮合服務、U盤服務品質、MP3播放器里面的都是這種FLASH，由于工藝上的不同組成部分，它比NOR FLASH擁有更大存儲(chǔ)容量影響，而且便宜。但也有缺點(diǎn)的過程中，就是無法尋址直接運(yùn)行程序發展契機，只能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)廣泛關註。另外NAND FLASH非常容易出現(xiàn)壞區(qū)，所以需要有校驗(yàn)的算法發力。
 

      在掌上電腦里要使用NAND FLASH 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序優勢領先，但是必須有NOR FLASH來啟動(dòng)。除了SAMSUNG處理器持續創新，其他用在掌上電腦的主流處理器還不支持直接由NAND FLASH 啟動(dòng)程序改善。因此，必須先用一片小的NOR FLASH 啟動(dòng)機(jī)器協調機製，在把OS等軟件從NAND FLASH 載入SDRAM中運(yùn)行才行信息化，還是比較麻煩的。

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