flash閃存是非易失存儲器服務延伸，可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程各項要求。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行不斷創新，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除適應性強。


        NAND FLASH器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的技術交流，而NOR FLASH則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為1。

 

　　由于擦除NOR器件時(shí)是以64～128KB的塊進(jìn)行的拓展，執(zhí)行一個(gè)寫入/擦除操作的時(shí)間為5s創造更多，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的不斷進步，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms工藝技術。執(zhí)行擦除時(shí)塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，根據(jù)統(tǒng)計(jì)顯示規模，對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時(shí))近年來，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣發展目標奮鬥，當(dāng)選擇存儲解決方案時(shí)技術先進，設(shè)計(jì)師必須權(quán)衡以下的各項(xiàng)因素：

 

　  ● NAND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少延伸。
 

　  ● NOR的讀速度比NAND稍快一些認為。
 

　  ● NAND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快〈髷祿?！?br />  

       ● NAND的寫入速度比NOR快很多長效機製。
 

　   ● 大多數(shù)寫入操作需要先進(jìn)行擦除操作。
 

 

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