SK海力士強勢出擊
2017-10-26 14:21:17
在內存與存儲器市場方面進一步推進，SK海力士表現(xiàn)的非常“豪氣”鍛造，直接出資86.1億美元進行3D NAND Flash以及DRAM擴產，似乎是因為市場趨勢一片大好競爭力所在，SK海力士將兩廠擴產竣工的時間直接縮短至明年第四季度。
據(jù)了解領域，這次SK海力士擴產主要用于技術升級發展需要，產能最多提升3%-5%，相對于美光來說管理，這更像是一場新技術研發(fā)速度的比賽顯示，畢竟美光剛建設新廠不久，兩者建設新廠的目的似乎不謀而合效率和安。
在產品研發(fā)上設計能力，SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片，并于4月再次推出AI深入開展、VR以及自動駕駛等顯示器專用的超高繪圖存儲器DRAM–Graphics DDR6更為一致。
在NAND Flash 產品方面，美光成功開發(fā)出72層堆疊芯片空間廣闊，相比于上一代48層堆疊芯片至關重要，其運行速度提升2倍，讀寫性能提升了20%服務品質，生產效能也增長了30%的發生，目前已經開始量產。
總結：
在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的情況下影響，三星電子新的動力、美光科技以及SK海力士等三大巨頭并未滿足于現(xiàn)狀，而是不斷研發(fā)全新產品發展契機。在這場角逐中廣泛關註，或許他們三者都是贏家。
本文關鍵詞：
NAND Flash DRAM
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