物聯(lián)網(wǎng)與AI推升次世代記憶體需求
2018-01-30 16:12:42
微型化，是物聯(lián)網(wǎng)裝置的一個(gè)主要設(shè)計(jì)需求生產效率，但低功耗與高耐用度也是必須要考核的兩大關(guān)鍵要點(diǎn)進行部署，尤其是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備一旦安裝完畢習慣，運(yùn)行時(shí)間可能長達(dá)數(shù)年發展邏輯，特別是在工業(yè)和公共設(shè)備的領(lǐng)域上空白區。
另一方面背景下，隨著人工智能的發(fā)展組建，智能化的需求開始顯現(xiàn)在各個(gè)產(chǎn)品應(yīng)用上發展機遇，包含汽車長效機製、醫(yī)療與金融業(yè)，對(duì)運(yùn)算效能的需求也在翻倍增加，因此產(chǎn)業(yè)也開始尋找能夠匹配高速運(yùn)算說服力，需要同時(shí)滿足低功耗與耐用需求的記憶體解決方案搶抓機遇。此時(shí)，人們又把目標(biāo)轉(zhuǎn)移到當(dāng)年被冷落的次世代非揮發(fā)性記憶體身上表示。
與目前主流的NOR與NAND Flash記憶體相比全面闡釋，這些號(hào)稱次世代記憶體幾乎在所有方面完勝它的競(jìng)爭(zhēng)者，不僅具備更好的讀寫速度競爭力所在，更低的電耗引人註目，同時(shí)也非常耐用，能夠承受在汽車和工業(yè)的環(huán)境溝通機製，唯一的缺點(diǎn)好宣講，就是成本太高。
也是因?yàn)槌杀镜脑蝾I先水平，這些次世代記憶體無法大量生產(chǎn)，因?yàn)槿绻粡娜萘績r(jià)格來看這些次世代記憶體現(xiàn)在還是沒有大量商用的價(jià)值，也完全無法跟主流的快閃記憶體競(jìng)爭(zhēng)戰略布局。不過如果針對(duì)特定應(yīng)用事關全面，或者是嵌入式記憶體等級(jí)的設(shè)計(jì)，那么這些次世代記憶體可說是明日之星狀態。
目前市場(chǎng)上能夠提供次世代記憶體產(chǎn)品的業(yè)者并不多技術節能，主要的有富士通（Fujitsu）和賽普拉斯半導(dǎo)體（Cypress）提供FRAM產(chǎn)品，采用串列（I2C和SPI）和并列介面的解決方案廣泛認同，已量產(chǎn)的容量從4Kb至4Mb國際要求。
在MRAM方面，則有美商Everspin Technologies和Spin Transfer Technologies （STT）全面協議，其中Everspin是目前市場(chǎng)上唯一一家提供商用MRAM產(chǎn)品的業(yè)者重要部署，提供的芯片容量從128Kb到16Mb，而主要的應(yīng)用領(lǐng)域則集中在航太新的動力、工業(yè)的過程中、車用、能源與物聯(lián)網(wǎng)廣泛關註。
記憶體比較圖表
至于RRAM促進進步，則被業(yè)界認(rèn)為最有機(jī)會(huì)成為主流次世代記憶體的技術(shù)，同時(shí)也是目前投入研發(fā)廠商最多的技術(shù)優勢領先。包含Adesto Technologies迎來新的篇章、Crossbar、三星半導(dǎo)體（Samsung semiconductor）推動並實現、美光（Micron）薄弱點、海力士（Hynix）和英特爾都擁有生產(chǎn)RRAM技術(shù)覆蓋範圍。
但值得注意的是，雖然投入的業(yè)者眾多積極性，但其中僅有Adesto Technologies和Crossbar具有商業(yè)量產(chǎn)的能力奮勇向前，尤其是Crossbar已與中國的中芯國際合作，正積極拓展中國市場(chǎng)實施體系，而提供的儲(chǔ)存容量從128Kb到16Mb組建。
在臺(tái)灣，工研院也成功研發(fā)出RRAM的生產(chǎn)技術(shù)效果較好，并已在院內(nèi)的8吋晶圓試產(chǎn)重要的意義，未來將會(huì)與臺(tái)灣的記憶體業(yè)者合作，導(dǎo)入12吋晶圓的制程尋求量產(chǎn)的機(jī)會(huì)等多個領域。
本文關(guān)鍵詞：
NAND Flash Cypress
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