因?yàn)榍度胧接洃涹w制程是在晶圓層級(jí)中生產創效，由晶圓代工廠把邏輯IC與記憶體芯片整合在同一顆芯片中逐步改善。這樣的設(shè)計(jì)不但能夠達(dá)成最佳的傳輸性能追求卓越，同時(shí)也縮小了芯片的體積效高性，通過一個(gè)芯片就達(dá)成了運(yùn)算與儲(chǔ)存的功能模式，而這對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)裝置經(jīng)常需要數(shù)據(jù)運(yùn)算與資料儲(chǔ)存來說，非常有吸引力提升。

 

比如說臺(tái)積電他們的主要市場(chǎng)便是鎖定物聯(lián)網(wǎng)高品質、高性能運(yùn)算與汽車電子等。

 

不過支撐能力，目前主流的快閃記憶體因?yàn)椴捎秒姾蓛?chǔ)存為其資料寫入的基礎(chǔ)資源優勢，因此其耐用度與可靠度在20nm以下，就會(huì)出現(xiàn)大幅的衰退特征更加明顯，因此就不適合用在先進(jìn)制程的SoC設(shè)計(jì)裡估算。雖然可以透過軟體糾錯(cuò)和演算法校正，但這些技術(shù)在嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)中轉(zhuǎn)換并不容易數字技術。所以結(jié)構(gòu)更適合微縮的次世代記憶體就成為先進(jìn)SoC設(shè)計(jì)的主流奮戰不懈。

 

另一方面，次世代記憶體也具有超高耐用度的措施，所以無論是對(duì)環(huán)境溫度的容忍范圍或者存取的次數(shù)大大縮短，都能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過目前的解決方案要落實好，因此這些新的嵌入式記憶體技術(shù)就更運(yùn)用在特定的市場(chǎng)。

 

以RRAM為例更默契了，歐洲研究機(jī)構(gòu)愛美科（Imec）幾年前就已經(jīng)發(fā)表了10nm制程的技術(shù)先進技術，突破了目前NAND Flash的極限。近期MRAM技術(shù)也宣布其制程可以達(dá)到10nm不合理波動，甚至以下宣講手段。

 

不過次世代嵌入式記憶體SoC芯片的制程非常困難，不僅整合難度高積極拓展新的領域，芯片的良率也是一個(gè)挑戰(zhàn)配套設備，目前包含臺(tái)積電、聯(lián)電相對開放、三星推進高水平、格羅方德（Globalfoundries）與英特爾等，都投入大量的人力在相關(guān)生產(chǎn)技術(shù)研發(fā)上拓展應用。

 

而以發(fā)展的時(shí)程來看生產創效，次 世代嵌入式記憶體技術(shù)將會(huì)先運(yùn)用在特定用途的SoC和MCU上，而隨著制程成熟與價(jià)格下降后領先水平，將會(huì)有更多的應(yīng)用與市場(chǎng)。

 

本文關(guān)鍵詞：晶圓     MCU

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