Everspin推出的第一款STT-MRAM
2018-05-03 11:25:38
Everspin最新的MRAM技術(shù)是利用自旋扭矩傳輸特性落地生根，即利用極化電流來控制電子的自旋有所應，從而建立自由層的所需磁狀態(tài)高效，從而對存儲器陣列中的位進行編程或?qū)懭搿?
與Toggle MRAM相比，自旋轉(zhuǎn)矩MRAM或
STT-MRAM可顯著降低開關(guān)能量自動化方案，并具有高度可擴展性，可實現(xiàn)更高密度的存儲器產(chǎn)品越來越重要。我們的第三代MRAM技術(shù)使用垂直MTJ線上線下。我們開發(fā)了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ堆疊設(shè)計，可提供長數(shù)據(jù)保持率醒悟，小單元尺寸數據顯示，更高密度，高耐用性和低功耗也逐步提升。
Everspin推出的第一款STT-MRAM產(chǎn)品采用ST-DDR3記得牢，這是一種類似JEDEC的DDR3接口，并需要進行一些修改以充分利用MRAM技術(shù)的持久性重要的作用。這些產(chǎn)品的性能如同持久性DRAM更多可能性，但無需刷新。其他產(chǎn)品計劃將利用高速串行接口用于各種嵌入式應用足夠的實力。
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STT-MRAM
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