微控制器單片機(jī)如何應(yīng)用串口sram
2018-05-09 10:53:32
微控制器單片機(jī)需要外擴(kuò)片內(nèi)資源,一般來說單片機(jī)目前有兩種外擴(kuò)RAM資源的模式供給,一種是采用并口接口優勢與挑戰,另外一種是采用串口接口,而串口接口目前是應(yīng)用的比較少的一種外擴(kuò)ram模式解決方案,這為什么呢趨勢,因?yàn)閺膫鹘y(tǒng)的存儲器件的設(shè)計里面,并口接口從一開始一直被使用開來上高質量,在很多應(yīng)用中被廣泛的使用一站式服務,隨著物聯(lián)網(wǎng)時代的開啟,在應(yīng)用設(shè)計中發(fā)現(xiàn)并口接口有時候在不確定其他的特性的要求下深入交流,或者應(yīng)用對于外擴(kuò)ram整體要求不是特別高的時候,可以采用串口接口的方式對外拓展RAM資源引領作用,這也是為什么串口sram是在近幾年才被提出,
串口sram目前容量有64Mbit臺上與臺下,速度快建設,功耗低,符合多數(shù)單片機(jī)或者其他應(yīng)用外擴(kuò)RAM資源的要求助力各行,如我司代理品牌VTI科技有限公司的串口sram產(chǎn)品可以說充分的補(bǔ)充了市場上的空白前來體驗,外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。與傳統(tǒng)并行SRAM相比確定性,這些串行器件具有更低的功耗和更少的I/O連接更加廣闊。一個小巧損耗、能夠只扮演緩存的角色、并能使用最小數(shù)量的引腳相連的外置SRAM非常完善。
串口SRAM就是專為滿足這個要求而量身定做的性能穩定。存儲器在高速性能并非最重要因素的其它存儲器(DRAM、閃存等)中作用,串行接口已經(jīng)取代了并行接口情況正常。由于存在需要SRAM的應(yīng)用,串口SRAM在SRAM市場中一直處于小眾地位發揮重要作用。在空間非常有限的特定應(yīng)用中醒悟,它們一直是低功耗、小尺寸替代方案高質量。
以下是串口SRAM的產(chǎn)品型號參考:
Density |
Organization |
Part NO. |
Vcc(V) |
Speed(MHz) |
Bus Modes |
Temp. |
Package |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064LSM |
1.8 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
64Mbit |
8M x 8 |
VTI7064MSM |
3 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
32Mbit |
4M x 8 |
VTI7032LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
32Mbit |
4M x 8 |
VTI7032LSM |
1.8 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
16Mbit |
2M x 8 |
VTI7016LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
16Mbit |
2M x 8 |
VTI7016LSM |
1.8 |
133 |
SQI |
C,I |
8-SOIC |
1Mbit |
128K x 8 |
VTI7001LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
1Mbit |
128K x 8 |
VTI7001NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
512Kbit |
64K x 8 |
VTI7512LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
512Kbit |
64K x 8 |
VTI7512NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
256Kbit |
32K x 8 |
VTI7256LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
256Kbit |
32K x 8 |
VTI7256NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
128Kbit |
16K x 8 |
VTI7128LSM |
1.8 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
128Kbit |
16K x 8 |
VTI7128NSM |
3.3 |
20 |
SPI |
C,I |
8-SOIC |
本文關(guān)鍵詞:
串口sram
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