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多芯片封裝(NAND MCP)產(chǎn)品以基于不同存儲技術工藝設計在同一基板上完成的事情,卓越性的晶片堆疊技術不僅優(yōu)化電路板的設計空間,還將不同存儲技術產(chǎn)品使命責任,包括SLC NAND Flash和mobile DRAM如低功耗DDR1,DDR2或DDR4設計在一個基板上,為應用實現(xiàn)更快的啟動時間系統穩定性,更長的電池壽命和更高的可靠性互動式宣講,NAND MCP主流產(chǎn)品的組合為1Gb+512Mb;2Gb+1Gb;4Gb+2Gb; 4Gb+4Gb (NAND和低功耗DRAM)。
JSC濟州半導體是全球最大的移動應用解決方案提供商之一的NAND MCP廠家逐漸完善。
JSC濟州半導體NAND MCP產(chǎn)品線主要包括NAND MCP+LPDDR4,NAND MCP+LPDDR2,NAND MCP+LPDDR1,目前NAND MCP+LPDDR4,的產(chǎn)品更新到4Gb + 4Gb的容量參與能力,JSC NAND MCP是由工業(yè)級的 SLC NAND Flash 和低功耗的 LPDDR 封裝在一起,不僅減小體積是目前主流,同時能夠減少外部電路的干擾充分發揮,增強 Flash 和 DDR 的通信能力,提升系統(tǒng)整體的性能和可靠性充分發揮。應用如手機選擇適用,平板,數(shù)據(jù)卡推動並實現,通訊模塊薄弱點,物聯(lián)網(wǎng)模塊,和可穿戴產(chǎn)品優化程度。
Tpye Part Number NAND(Density) NAND(Bus) NAND(Type) DRAM(Density) DRAM(Bus) DRAM(Type) ECC Speed Page Size Package Type PDF下載
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