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多芯片封裝(NAND MCP)產(chǎn)品以基于不同存儲技術(shù)工藝設(shè)計在同一基板上信息化,卓越性的晶片堆疊技術(shù)不僅優(yōu)化電路板的設(shè)計空間,還將不同存儲技術(shù)產(chǎn)品使用,包括SLC NAND Flash和mobile DRAM如低功耗DDR1,DDR2或DDR4設(shè)計在一個基板上,為應(yīng)用實現(xiàn)更快的啟動時間,更長的電池壽命和更高的可靠性等多個領域,NAND MCP主流產(chǎn)品的組合為1Gb+512Mb;2Gb+1Gb;4Gb+2Gb; 4Gb+4Gb (NAND和低功耗DRAM)。
JSC濟州半導(dǎo)體是全球最大的移動應(yīng)用解決方案提供商之一的NAND MCP廠家延伸。
JSC濟州半導(dǎo)體NAND MCP產(chǎn)品線主要包括NAND MCP+LPDDR4,NAND MCP+LPDDR2,NAND MCP+LPDDR1,目前NAND MCP+LPDDR1,的產(chǎn)品更新到4Gb + 2Gb的容量深刻變革,JSC NAND MCP是由工業(yè)級的 SLC NAND Flash 和低功耗的 LPDDR 封裝在一起,不僅減小體積更讓我明白了,同時能夠減少外部電路的干擾迎難而上,增強 Flash 和 DDR 的通信能力,提升系統(tǒng)整體的性能和可靠性探索。應(yīng)用如手機堅持先行,平板,數(shù)據(jù)卡滿意度,通訊模塊情況較常見,物聯(lián)網(wǎng)模塊,和可穿戴產(chǎn)品主要抓手。
Tpye Part Number NAND(Density) NAND(Bus) NAND(Type) DRAM(Density) DRAM(Bus) DRAM(Type) ECC Page Size Package Type PDF下載
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