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多芯片封裝(NAND MCP)產(chǎn)品以基于不同存儲技術(shù)工藝設(shè)計(jì)在同一基板上探討，卓越性的晶片堆疊技術(shù)不僅優(yōu)化電路板的設(shè)計(jì)空間,還將不同存儲技術(shù)產(chǎn)品，包括SLC NAND Flash和mobile DRAM如低功耗DDR1,DDR2或DDR4設(shè)計(jì)在一個(gè)基板上，為應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更快的啟動(dòng)時(shí)間攜手共進，更長的電池壽命和更高的可靠性智慧與合力，NAND MCP主流產(chǎn)品的組合為1Gb+512Mb;2Gb+1Gb;4Gb+2Gb; 4Gb+4Gb (NAND和低功耗DRAM)創新延展。
JSC濟(jì)州半導(dǎo)體是全球最大的移動(dòng)應(yīng)用解決方案提供商之一的NAND MCP廠家規劃。
JSC濟(jì)州半導(dǎo)體NAND MCP產(chǎn)品線主要包括NAND MCP+LPDDR4,NAND MCP+LPDDR2,NAND MCP+LPDDR1,目前NAND MCP+LPDDR4,的產(chǎn)品更新到4Gb + 4Gb的容量相關性，JSC NAND MCP是由工業(yè)級的 SLC NAND Flash 和低功耗的 LPDDR 封裝在一起完成的事情，不僅減小體積，同時(shí)能夠減少外部電路的干擾穩定，增強(qiáng) Flash 和 DDR 的通信能力改造層面，提升系統(tǒng)整體的性能和可靠性。應(yīng)用如手機(jī)效高化，平板新體系，數(shù)據(jù)卡，通訊模塊創造，物聯(lián)網(wǎng)模塊，和可穿戴產(chǎn)品貢獻法治。
Tpye Part Number NAND(Density) NAND(Bus) NAND(Type) DRAM(Density) DRAM(Bus) DRAM(Type) ECC Speed Page Size Package Type PDF下載
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