Everspin MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM非易失性存儲(chǔ)器解決方案。該解決方案可以替代SPI NOR/NAND閃存的方案堅持先行，其讀寫(xiě)速度可以高達(dá)400MB/s持續發展，存儲(chǔ)容量在8Mbit和64Mbit之間範圍。
 
Everspin此款新xSPI產(chǎn)品系列基于擴(kuò)展的串行外設(shè)接口增強，這是用于非易失性存儲(chǔ)設(shè)備的最新 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)節點。提供高性能不斷創新、多 I/O越來越重要的位置、SPI 兼容性勇探新路，并具有高速單產提升、低引腳數(shù) SPI 兼容總線接口，時(shí)鐘頻率高達(dá)200 MHz試驗。這些持久性內(nèi)存 MRAM 設(shè)備在單個(gè) 1.8V 電源上運(yùn)行勞動精神，并通過(guò)八個(gè) I/O 信號(hào)提供高達(dá) 400MBps 的讀取和寫(xiě)入速度。更多產(chǎn)品相關(guān)資料咨詢Everspin代理英尚微電子製度保障。
 
xSPI MRAM的主要亮點(diǎn)是400MB/s的讀寫(xiě)速度預下達，因?yàn)檫@個(gè)速度是NOR或NAND等閃存設(shè)備的數(shù)倍，在寫(xiě)入方面甚至更高統籌推進。該產(chǎn)品的其他好處方案，比如：在編程之前無(wú)需擦除、高效寫(xiě)入（比NAND 低10倍了解情況，比NOR低200倍）研究成果，以及可以兼容舊軟件的NOR閃存模式。
     
xSPI MRAM開(kāi)啟了通用存儲(chǔ)器應(yīng)用解決方案的新紀(jì)元完善好，取代了 SRAM大面積、BBSRAM、NVSRAM 和 NOR器件等產(chǎn)品問題分析，面向工業(yè)自動(dòng)化培養、過(guò)程控制、仿真推廣開來、汽車和運(yùn)輸推動、游戲以及更廣泛的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。
 
 
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